A Samsung revelou recentemente uma nova tecnologia de memória baseada em transístores ferroeléctricos (FeFET), que promete reduzir drasticamente o consumo de energia e, ao mesmo tempo, expandir a capacidade de armazenamento sem comprometer o desempenho.
De acordo com testes laboratoriais, esta nova arquitectura alcançou uma redução de até 96% no consumo de energia em comparação com a memória NAND tradicional, o que representa um avanço significativo para dispositivos que dependem de alta eficiência, como smartphones, computadores de ponta e sistemas de Inteligência Artificial (IA).
De acordo com o site Tudo Celular, estas são áreas nas quais a Samsung já se destaca e lidera, com produtos como o Galaxy S25 Ultra e os seus processadores optimizados, como as versões “for Galaxy” desenvolvidas em parceria com a Qualcomm.
A tecnologia utiliza este tipo de material porque é capaz de reter dados sem depender de energia constante, quebrando uma das limitações históricas da memória flash NAND. Na prática, isso significa que os chips futuros serão capazes de armazenar mais informações e operar com menor consumo de energia, possibilitando novas gerações de dispositivos móveis e servidores mais sustentáveis.
Embora o projecto ainda esteja em fase de pesquisa, o investimento reforça o compromisso da Samsung em liderar o ciclo de chips de IA, impulsionado pela crescente procura por modelos generativos e centros de dados, algo em que a empresa já tem vindo a investir.
